離子注入

使用各種離子注入設備提供廣泛的需求外,也擁有豐富的分析設備以提供分析服務。

離子注入服務

摻雜元素 N、C、F、P、As、B、Ge、Si、Sb、In、O、H、etc
加速功率 200eV ~ 4.6MeV

※因離子種類的不同、晶圓的大小會有限制。

分析服務

薄層電阻測量、結晶缺陷測量、表面的異物分析、不純物剖面分析、微量成分分析、膜厚測定
※因使用測量設備的不同,晶圓的大小會有限制。

主要設備

設備名型式製造商
高電流離子注入裝置 LEX3 SEN Corporation
高電流離子注入裝置 LEX SEN Corporation
高電流離子注入裝置 NV-GDSⅢ-LED SEN Corporation
高電流離子注入裝置 NV-GSD-HC3 SEN Corporation
中電流離子注入裝置 MC3 Series SEN Corporation
高功率離子注入裝置 NV-GSD-HE3 SEN Corporation
高功率離子注入裝置 NV-GSD-HE SEN Corporation
晶圓表面檢查裝置 LS-6800 Hitachi High-Technologies Corporation
TXRF分析装置 TREX630 Technos Co., Ltd.
ICP-MS Agilent 7500CS Yokogawa Analytical Systems, Inc.
晶圓評測SEM(EDS分析) RS-3000 Hitachi High-Technologies Corporation
走査型電子顯微鏡(EDS分析) JSM-5800LV JEOL Ltd.
薄片電阻量測儀 RS-100 KLA-Tencor Corporation
TW量測裝置 TP630 KLA-Tencor Corporation
膜厚測定装置分光橢圓機 UT-300 HORIBA, Ltd.
RTP SUMMIT 300XT Axcelis Technologies
RTP Reliance850 Axcelis Technologies
橫型爐 VF-1000 Koyo Thermo Systems Co., Ltd.

 

代表的な設備