SOI晶圓

KST World的SOI晶圓 SOI晶圓
SOI(Silicon on Insulator)晶圓是於氧化膜上 成形矽單結晶層為構造的晶圓。
於高速LSI、低耗電LSI、Power Device、 MEMS等領域被廣泛的使用。
本公司除了一般的SOI以外也可提供Cavity SOI晶圓、 Thick-BOX® SOI晶圓等特殊晶圓。
Cavity SOI晶圓對MEMS Device製造的工時與良率等有非常大的幫助,可大幅減少成本。並且Thick-BOX® SOI晶圓經本公司獨有的超厚膜熱氧化膜加工技術,可讓SOI晶圓擁有前所未有的Box層厚度,可提早實現矽光(Silicon Photonics)與超高耐壓的半導體power device。

對應範圍

對應尺寸 4inch 6inch 8inch
活性層膜厚度 100nm※~200μm
面內厚度精度 薄膜±15nm 厚膜±0.5μm
BOX層厚度 最大 20μm
※ 活性層的薄膜晶圓為融合信越化學工業(株)的薄膜SOI技術與本公司厚膜技術的合作產品。
 

基版厚度可加工到≧350um。

活性層Wafer・BOX層・基版Wafer上可實施pattern加工(客戶端或是本公司)
貼合以後單片進行加工,所以可對應少量多種的加工。
研磨拋光加工為SOI加工的特徵,最小可做到SOI≧1um。

代表設備

貼合設備

Grinder設備

CMP設備

各種SOI晶圓介紹

Normal SOI…

一般SOI晶圓由活性層/BOX/基版所構成。除此,SOI-1、3層以外的構造也可對應。
例)SOI-1/BOX/SOI-2/基版Wafer etc

Cavity SOI…

積層構造晶圓內部裏已製作出空洞等的構造,可以削減切割後的製程,可提高產品的生產量。

Thick-BOX® SOI…

擁有3~20um的Box層的SOI 晶圓。
可有效應用於高耐壓元件。

SOI晶圓 Cavity SOI…

Cavity SOI

Cavity SOI晶圓為層積構造晶圓內部擁有空洞等構造(Cavity構造)的SOI 晶圓。
可以消減切割後的製程,可提高產品的生產量。
並且,Cavity構造能夠在不同材質的基板上成形Box層,或是依照客戶需求來成形。
※以上的構造圖為在支持基板上形成Cavity的舉例。
其他、Box層的成形等、或是多歧特殊的成形也可對應,歡迎洽詢。

通過超音波探測器的Cavity SOI圖

Cavity SOI 晶圓的品質(表層)

SOIウェーハ Thick-BOX® SOI…

Thick-BOX® SOI

Thick-BOX® SOI晶圓是利用本公司獨有的厚膜熱氧化膜技術進行加工,並擁有厚Box層的SOI晶圓。可利用於超高耐壓半導體Power device。
而且,加速度Sensor、Actuator等需要用SOI晶圓的氧化膜作為犧牲層來進行蝕刻加工的Bulk-type MEMS上特別有效。犧牲層厚的話可以確保構造體在作動上有足夠的間距。可解決Sticking的問題擴大垂直方向動作範圍等等。並可提高良率且可用新的思維來進行,對Device的開發作出貢獻。
※以上的支持基板以及活性層的厚度只是舉例。
厚度可依照客戶的需求來製作。歡迎洽詢。

Thick-BOX® SOI晶圓的使用例 ※Power Device IGBT