SOIウェーハ

ケイ・エス・ティ・ワールドのSOIウェーハ

SOIウェーハ

SOI(Silicon on Insulator)ウェーハとは酸化膜上にシリコン単結晶層を形成した構造のシリコンウェーハで、高速LSI、低消費LSI、パワーデバイス、MEMSなど幅広い分野で使われております。
当社は一般的なSOI以外にもCavity SOIウェーハやThick-BOX® SOIウェーハと言った特殊なSOIウェーハも提供しております。
Cavity SOIウェーハはMEMSデバイス製造の工数削減や歩留率の向上に大きく寄与し、大幅なコスト削減が可能となります。 また、Thick-BOX® SOIウェーハは当社独自の超厚膜熱酸化膜加工により、これまでにない厚いBOX層を持ったSOIとなっており、シリコンフォトニクスや超高耐圧な半導体パワーデバイスの早期実現が可能となります。

対応範囲

対応サイズ 4” 6” 8”
活性層膜厚 100nm※~200μm
面内厚み精度 薄膜±15nm 厚膜±0.5μm
BOX層厚 最大 20μm

※ 活性層の薄膜品は信越化学工業(株)の薄膜SOI技術と当社の厚膜技術を融合した協業製品です。

 

支持側の厚み≧350umに加工する事が可能です。
活性層Wafer・BOX層・支持側Waferにパターン加工を実施(お客様若しくは弊社)する事が可能です。

貼合せ以降、枚葉でSOIウェーハを加工致しますので少数多品種の作成が可能です。
研削研磨加工によるSOI加工が特徴で、SOI≧1umまでの作り込みが可能です。

 

代表的な設備

貼合せ装置

Grinder装置

CMP装置

 

各種SOIウェーハ紹介

Normal SOI…

活性層/BOX/支持側の構成で一般的なSOIウェーハです。
SOI-1など、3層構造以外も対応致します。
例)SOI-1/BOX/SOI-2/支持側Wafer etc

 

Cavity SOI…

積層構造ウェーハ内部に空孔等のパターンを有し、ダイシング後、 後工程を削減し、より多くの製品化が期待出来ます。

 

Thick-BOX® SOI…

3~20umのBOX層を有するSOIウェーハです。
高耐圧素子として有効です。

 

Cavity SOI

積層構造内部に空孔等のパターン(Cavity構造)を有するSOIウェーハです。
ダイシング後の後工程を削減し、より多くの製品化が期待出来ます。
また、Cavity構造は、支持基盤のみならずBOX層への形成、その他ご要望に応じて形成することが可能です。

※上記構造図は、支持基盤へのCavity形成の場合となります。 その他、BOX層への形成など、
多岐に渡り形成することが可能となっておりますので、お気軽にご相談ください。

超音波探傷によるCavity SOI_Wafer

Cavity SOI ウェーハの品質(表層)

Thick-BOX® SOI

Thick-BOX® SOIウェーハは、当社独自技術の厚膜熱酸化膜加工を利用し、厚いBOX層を有するSOIウェーハです。超高耐圧な半導体パワーデバイスを早期に実現する方法として利用されています。
また、加速度センサーやアクチュエーターなどSOIウェーハの埋め込み酸化膜を犠牲層としてエッチングするバルク型MEMSに有効と言われ、厚いBOXを犠牲層とする事で、構造体の作動に十分なクリアランスを確保でき、スティッキングの問題解決や垂直方向への作動範囲が広がるなど、歩留まりの改善や新しい発想のデバイス開発に貢献しています。


※上記支持基板および活性層の厚みは一例です。
お客様のご要望に応じた厚みでのご提供が可能となっておりますので、お気軽にご相談ください。

Thick-BOX® SOIウェーハの使用例

※パワーデバイス IGBT